전위 회로도

전기 회로전위 다이어그램은 선택한 루프에 포함된 섹션의 저항에 따라 폐쇄 루프를 따라 전위 분포를 그래픽으로 표현한 것입니다.

전위 다이어그램을 구성하기 위해 폐쇄 루프가 선택됩니다. 이 회로는 섹션당 하나의 사용자 또는 에너지 소스가 있는 방식으로 섹션으로 나뉩니다. 구간 사이의 경계점은 문자나 숫자로 표시해야 합니다.

루프의 한 지점은 임의로 접지되며 그 전위는 조건부로 0으로 간주됩니다. 전위가 0인 지점에서 시계 방향으로 등고선 주위를 돌면서 각 후속 경계 지점의 전위는 이전 지점의 전위와 이러한 인접 지점 사이의 전위 변화의 대수적 합으로 정의됩니다.

멀티미터물체의 전위 변화는 점 사이의 회로 구성에 따라 달라집니다. 전력 소비 장치(저항기)가 해당 위치에 포함된 경우 전위의 변화는 수치상 해당 저항기의 전압 강하와 같습니다. 이 변화의 부호는 전류의 방향에 의해 결정됩니다.루프의 전류 방향과 바이패스 방향이 일치하면 부호는 음수이고 그렇지 않으면 양수입니다.

개체에 EMF 소스가 있는 경우 여기서 잠재적인 변경은 이 소스의 EMF 값과 수치적으로 동일합니다. 루프의 우회 방향과 EMF의 방향이 일치하면 전위 변화가 양수이고 그렇지 않으면 음수입니다.

모든 지점의 전위를 계산한 후 직교 좌표계에서 전위 다이어그램을 구성합니다. 가로축에는 섹션의 저항이 윤곽선을 가로지를 때 만나는 순서대로, 세로축에는 해당 지점의 전위가 표시됩니다. 전위 다이어그램은 0전위에서 시작하여 순환한 후 끝납니다.

전위 회로도 구성

이 예에서는 다이어그램이 그림 1에 표시된 회로의 첫 번째 루프에 대한 전위 다이어그램을 구성합니다.

복잡한 회로도

쌀. 1. 복잡한 전기 회로도

고려되는 회로에는 두 개의 전원 공급 장치 E1 및 E2와 두 개의 전원 소비자 r1, r2가 포함됩니다.

이 윤곽을 섹션으로 나누고 그 경계는 문자 a, b, c, d로 표시됩니다. 일반적으로 잠재력이 0이 될 가능성을 고려하여 점 a를 접지하고 이 점에서 시계 방향으로 윤곽을 그립니다. 따라서 φα = 0입니다.

윤곽선을 가로지르는 경로의 다음 지점은 지점 b가 됩니다. EMF 소스 E1은 섹션 ab에 있습니다. 이 섹션에서 소스의 음극에서 양극으로 이동하면 전위가 E1 값만큼 증가합니다.

φb = φa + E1 = 0 + 24 = 24V

지점 b에서 지점 c로 이동할 때 전위는 저항 r1 양단의 전압 강하 크기만큼 감소합니다(루프의 바이패스 방향은 저항 r1의 전류 방향과 일치함).

φc = φb — Az1r1 = 24 — 3 x 4 = 12V

d 지점으로 이동하면 저항 r2 양단의 전압 강하량만큼 전위가 증가합니다(이 섹션에서 전류 방향은 루프 바이패스 방향과 반대임).

φd = φ° C + I2r2 = 12 + 0 NS 4 = 12V

점 a의 전위는 소스 E2의 EMF 값만큼 점 d의 전위보다 작습니다(EMF의 방향은 회로를 우회하는 방향과 반대임).

φa = φd — E2 = 12 — 12 = 0

계산 결과는 전위 다이어그램을 작성하는 데 사용됩니다. 가로축에는 회로가 전위가 0인 지점으로 둘러싸여 있을 때와 같이 섹션의 저항이 직렬로 표시됩니다. 이전에 계산된 해당 지점의 전위는 세로 좌표를 따라 표시됩니다(그림 2).

전위 등고선도

그림 2… 전위 등고선도

Patskevich V.A.

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